深入剖析Cree出售LED照明业务的背景和原因

  2019年5月13日,Cree宣布已完成向IDEAL INDUSTRIES,Inc.出售其照明产品业务部门(“Cree Lighting”)。该交易包括面向商业、工业及消费者的LED照明灯具、光源和企业照明解决方案业务。交易于3月15日公布,已于5月13日完成并生效。

  Cree首席执行官Gregg Lowe表示,“这对Cree来说是一个关键的篇章,我们更加专注成为碳化硅和氮化镓技术的半导体领导者”,“Cree的技术正在帮助推动经济的重大转变,无论是汽车行业向电动汽车的转型还是电信行业转向更快的5G网络。我们在碳化硅和GaN方面的领先地位使我们能够帮助客户提高性能并实现更高的效率。”

  Cree将利用此次出售所得的收益来加速Wolfspeed(其核心功率和射频业务)的增长,并扩大其半导体业务。

  最近,Cree宣布计划投资10亿美元(折合人民币约67.8亿元)用于扩大SiC碳化硅产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。

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  此前,5月1日,CREE公布了2019财年第三季度的业绩(截至3月31日)。报告期内,公司实现持续经营收入2.74亿美元(折合人民币约18.45亿元),同比增长22%。

  按美国通用会计准则(GAAP)计算,2019财年第三季度净亏损2200万美元(或稀释后每股亏损0.22美元)。按非美国通用会计准则(GAAP)计算,2019财年第三季度净收入2000万美元,而2018财年第三季度净收入1700万美元。

  报告显示,3Q19,CREE的Wolfspeed产品实现营收1.41亿美元,同比增长72%。LED产品实现营收1.33亿美元,同比下降7%。本次列出的所有报告期内的(亏损)收入综合报表已将照明产品业务分类为已终止业务。

  通过此次业务剥离,Cree公司继续专注化合物半导体射频和功率应用市场,满足5G通信和新能源汽车的市场需求。

  一、Cree出售LED照明业务的背景和原因

  (一)LED照明市场已成为竞争红海

  一方面,LED照明不再是技术竞争高地。2014年的诺贝尔奖物理学奖颁给了赤崎勇、天野浩和中村修三位科学家,以表彰他们发明了用于照明的蓝色发光二极管(LED),氮化镓(GaN)材料的突破使得LED成为改变人类照明方式的一次革命。蓝光LED发明后的20余年里,LED灯的性价比不断提高,甚至遵循着类似“摩尔定律”的“海茨法则”。当前LED照明的成本已下降了90%以上,发光效率提升了30倍,使得LED的性能和成本已完全满足照明需求,替代性光源市场渗透率接近50%。LED灯已从技术竞争的高地转为成熟的通用大宗商品。

  另一方面,成本控制和市场开拓成为LED照明企业发展的核心竞争力。LED制造环节趋向标准化和通用化,附加价值越来越低。通用电气、欧司朗、飞利浦等国际传统照明龙头企业纷纷出售和剥离LED照明业务。加之龙头企业早期布局的核心发明专利逐渐脱离保护年限,掌握芯片制造产能和强大应用市场的中国LED企业成为行业的主力。三安光电、华灿光电、木林森、欧普照明等成为代表企业。

  (二)Cree在半导体照明市场风光不再

  Cree公司曾是LED技术进步的领头羊。依托SiC材料领域的优势,Cree以独有的“SiC衬底LED”技术路线,屡屡打破LED照明的发光效率纪录。Cree于2015年将LED发光效率提升至303lm/W,打破了其在2013年创下的276lm/W的纪录。然而,100-200lm/W的光效已能满足大部分照明场景需求,高发光效率并不能继续提升产品附加值。加之基于“蓝宝石衬底LED”技术路线的LED制造成本持续下跌,Cree在LED市场的竞争优势日益弱化。公司照明业务收入近三年来下滑了近40%。2017年,Cree选择与国内三安光电公司成立合资公司,变相让出了中低功率LED市场。

图1 2016-2019财年Cree公司营业收入(单位:百万美元)

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  (四)Cree计划专注发展化合物半导体业务

  Cree公司成立于1987年,早期的技术来源自美国北卡州立大学。Cree于1991年发布了第一片商用的SiC衬底材料,于1998年推出了首个工业用的GaN-on-SiC射频器件。Cree于2002年发布全球首个商用的SiC功率器件,于2011年发布全球首个SiC MOSFET功率器件。2000年,Cree收购GaN器件企业Nitres,2004年收购ATMI公司的GaN衬底和外延业务部门,2006年收购SiC衬底企业Intrinsic Semiconductor。

  2015年9月,Cree公司将旗下功率和射频部门(Power & RF)分拆为独立的“Wolfspeed”公司。新成立后的Wolfspeed公司是全球最大的SiC衬底材料供应商,是美国军用雷达可靠的GaN射频器件供应商和全球前三大的SiC功率器件企业。预计2019年,Wolfspeed公司的销售额将达到5.9亿美元,是2015年分拆时的3.3倍。

图2 2016-2019财年Wolfspeed公司营业收入(单位:百万美元)

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  二、Cree在化合物半导体领域的布局策略

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  (三)通过合作开拓GaN功率器件市场

  基于Si衬底的GaN功率器件同样是市场关注的热门技术,相比SiC功率器件具有成本低和易集成等特点,主要应用于高端电源等产品,市场成长空间远大于GaN射频器件。Cree的优势是SiC材料及相关器件,并无Si基GaN功率器件的技术优势,难以与收购IR的Infineon、在台积电代工的Navitas和EPC、与松下合作的TI等竞争对手抗衡。2018年,Cree通过专利授权的方式,将GaN领域的基础专利授权给安世半导体(Nexperia)公司,共同合作开拓Si基GaN功率器件市场。

  三、对我国化合物半导体产业发展的启示

  (一)要耐住寂寞,锤炼内功

  (二)要发挥优势,把握机遇

  (三)要看清大势,合作共赢

  国内化合物半导体各环节企业和整机应用企业需加强合作,推动以资本为纽带整合产业资源。面向5G通信基站、新能源汽车和工业电源等市场,加大国产化合物半导体产品的试用和验证。发挥**的组织协调优势,搭建试用验证平台,鼓励整机企业敢用、愿用国产产品。通过模拟真实应用环境,不断试错、发现和解决问题,提升国内器件企业市场竞争力。

编辑:严志祥

来源:中国电子报

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